Número de parte interno | RO-FM21L16-60-TG |
---|---|
Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 110ns |
Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Paquete del dispositivo: | 44-TSOP II |
Serie: | F-RAM™ |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Otros nombres: | FM21L16-60-TGRA FM21L1660TG |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria: | 2Mb (128K x 16) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | FRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 110ns 44-TSOP II |
Número de pieza base: | FM21L16 |
Tiempo de acceso: | 110ns |
Email: | [email protected] |