ESH1DM RSG
- Número de pieza:
- ESH1DM RSG
- Fabricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 87826 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- ESH1DM RSG.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-ESH1DM RSG |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.5V @ 1A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 200V |
| Paquete del dispositivo: | Micro SMA |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 25ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 2-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | ESH1DM RSGTR ESH1DM RSGTR-ND ESH1DMRSGTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 25 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 200V 1A Surface Mount Micro SMA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1µA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 3pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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