Número de parte interno | RO-EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 1.14 V ~ 1.95 V |
Tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Serie: | - |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Otros nombres: | EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR-ND EDB8164B4PT-1DIT-F-RTR |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TC) |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 8Gb (128M x 64) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz |
Frecuencia de reloj: | 533MHz |
Email: | [email protected] |