DMN62D0LFD-7
DMN62D0LFD-7
Número de pieza:
DMN62D0LFD-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
78075 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
DMN62D0LFD-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-DMN62D0LFD-7
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:X1-DFN1212-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 100mA, 4V
La disipación de energía (máximo):480mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-UDFN
Otros nombres:DMN62D0LFD-7DITR
DMN62D0LFD-7TR
DMN62D0LFD-7TR-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:31pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:500nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:310mA (Ta)
Email:[email protected]

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