español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-módulos > APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
Número de pieza:
APT47GA60JD40
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
IGBT 600V 87A 283W SOT-227
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
49990 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
APT47GA60JD40.pdf
Investigación

Introducción

We can supply APT47GA60JD40, use the request quote form to request APT47GA60JD40 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT47GA60JD40.The price and lead time for APT47GA60JD40 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT47GA60JD40.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Número de parte interno RO-APT47GA60JD40
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
Tensión - Colector-emisor (máx):87A
Tensión - Desglose:ISOTOP®
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:PT
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:600V
Serie:POWER MOS 8™
Potencia - Max:283W
Polarización:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
termistor NTC:Standard
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APT47GA60JD40
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce:2.5V @ 15V, 47A
Entrada:6.32nF @ 25V
Descripción ampliada:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
Descripción:IGBT 600V 87A 283W SOT-227
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:275µA
Corriente - Colector Pulsada (ICM):No
Acabado de contactos:Single
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de APT47GA60JD40

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Investigación
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Investigación
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Investigación
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Investigación
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Investigación
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Investigación
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Investigación
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Investigación
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Investigación
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Investigación
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Investigación
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Investigación
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Investigación
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Investigación
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Investigación
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Investigación
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Investigación
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Investigación
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Investigación
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Investigación

Latest Noticias