Número de parte interno | RO-71V416L12BEI |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 12ns |
Suministro de voltaje: | 3 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | SRAM - Asynchronous |
Paquete del dispositivo: | 48-CABGA (9x9) |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 48-TFBGA |
Otros nombres: | IDT71V416L12BEI IDT71V416L12BEI-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 4Mb (256K x 16) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | SRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Descripción detallada: | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 48-CABGA (9x9) |
Número de pieza base: | IDT71V416 |
Tiempo de acceso: | 12ns |
Email: | [email protected] |