1N914
- Número de pieza:
- 1N914
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 81120 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1N914.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-1N914 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 200mA |
| Tensión - Desglose: | - |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Estado RoHS: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Resistencia @ Si, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Polarización: | - |
| Otros nombres: | 1N914-DIE 1N914MT 1N914MT-ND FC1N914 FC1N914-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 4ns |
| Tipo de montaje: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N914 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 200mA |
| configuración de diodo: | 25nA @ 20V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1V @ 10mA |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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