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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N6622US
1N6622US
Número de pieza:
1N6622US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad en inventario:
85510 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1N6622US.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-1N6622US
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.4V @ 1.2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):660V
Paquete del dispositivo:A-MELF
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):30ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SQ-MELF, A
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo:Standard
Descripción detallada:Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount A-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr:500nA @ 660V
Corriente - rectificada media (Io):1.2A
Capacitancia Vr, F:10pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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