STW56N65M2-4
- Artikelnummer:
- STW56N65M2-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 48576 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- STW56N65M2-4.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-STW56N65M2-4 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247-4L |
| Serie: | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 62 mOhm @ 24.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 358W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-4 |
| Andere Namen: | 497-15373-5 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3900pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 650V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 49A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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