SSM3K318R,LF
- Artikelnummer:
- SSM3K318R,LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 83740 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SSM3K318R,LF.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SSM3K318R,LF |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | 235pF @ 30V |
| Spannung - Durchschlag: | SOT-23F |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 107 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | U-MOSIV |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5A (Ta) |
| Polarisation: | SOT-23-3 Flat Leads |
| Andere Namen: | SSM3K318R,LF(B SSM3K318R,LF(T SSM3K318RLF SSM3K318RLFTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SSM3K318R,LF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 7nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.8V @ 1mA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 60V |
| Kapazitätsverhältnis: | 1W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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