Interne Teilenummer | RO-SMUN5111DW1T1G |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300nA, 10mA |
Transistor-Typ: | 2 PNP (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 385mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen: | SMUN5111DW1T1G-ND SMUN5111DW1T1GOSTR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 40 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 35 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Basisteilenummer: | MUN51**DW1T |
Email: | [email protected] |