Interne Teilenummer | RO-SGSD100 |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 80V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 3.5V @ 80mA, 20A |
Transistor-Typ: | NPN - Darlington |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-247-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 130W |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
Andere Namen: | 497-6727-5 SGSD100-ND |
Betriebstemperatur: | - |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 500 @ 10A, 3V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 25A |
Email: | [email protected] |