SGP6N60UFDTU
Artikelnummer:
SGP6N60UFDTU
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 6A 30W TO220
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
84632 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.SGP6N60UFDTU.pdf2.SGP6N60UFDTU.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-SGP6N60UFDTU
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.6V @ 15V, 3A
Testbedingung:300V, 3A, 80 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:15ns/60ns
Schaltenergie:57µJ (on), 25µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):52ns
Leistung - max:30W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:-
Gate-Ladung:15nC
detaillierte Beschreibung:IGBT 600V 6A 30W Through Hole TO-220
Strom - Collector Pulsed (Icm):25A
Strom - Kollektor (Ic) (max):6A
Basisteilenummer:SG*6N60
Email:[email protected]

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