Interne Teilenummer | RO-RN2102,LF(CT |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse: | SSM |
Serie: | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 10 kOhms |
Leistung - max: | 100mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | SC-75, SOT-416 |
Andere Namen: | RN2102(T5L,F,T) RN2102(T5LFT)TR RN2102(T5LFT)TR-ND RN2102,LF(CB RN2102LF(CTTR |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 50 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |