Interne Teilenummer | RO-PBSS5112PAP,115 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 120V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 480mV @ 100mA, 1A |
Transistor-Typ: | 2 PNP (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse: | 6-HUSON-EP (2x2) |
Serie: | - |
Leistung - max: | 510mW |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | 6-UDFN Exposed Pad |
Andere Namen: | 1727-1077-1 568-10205-1 568-10205-1-ND |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 100MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 50 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
Basisteilenummer: | PBSS5112 |
Email: | [email protected] |