Interne Teilenummer | RO-NSVMMBT6517LT1G |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 350V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | - |
Leistung - max: | 225mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 20 @ 50mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |