NSS40300DDR2G
- Artikelnummer:
- NSS40300DDR2G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 62448 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- NSS40300DDR2G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-NSS40300DDR2G |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 40V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 170mV @ 200mA, 2A |
| Transistor-Typ: | 2 PNP (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 653mW |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | NSS40300DDR2GOSDKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 100MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 180 @ 1A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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