Interne Teilenummer | RO-NJW44H11G |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 80V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 400mA, 8A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P-3L |
Serie: | - |
Leistung - max: | 120W |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Andere Namen: | NJW44H11G-ND NJW44H11GOS |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 85MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 85MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 4A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 10A |
Email: | [email protected] |