NGTB50N65FL2WAG
Artikelnummer:
NGTB50N65FL2WAG
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
50176 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NGTB50N65FL2WAG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-NGTB50N65FL2WAG
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 50A
Testbedingung:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:23ns/123ns
Schaltenergie:420µJ (on), 550µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247-4L
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):94ns
Leistung - max:417W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-4
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Field Stop
Gate-Ladung:215nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Field Stop 650V 160A 417W Through Hole TO-247-4L
Strom - Collector Pulsed (Icm):160A
Strom - Kollektor (Ic) (max):160A
Email:[email protected]

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