Interne Teilenummer | RO-N01L63W3AB25I |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 55ns |
Spannungsversorgung: | 2.3 V ~ 3.6 V |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 48-BGA (6x8) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 48-LFBGA |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 1Mb (64K x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 55ns 48-BGA (6x8) |
Basisteilenummer: | N01L63W3A |
Zugriffszeit: | 55ns |
Email: | [email protected] |