Interne Teilenummer | RO-IRF7603TRPBF |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | Micro8™ |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 3.7A, 10V |
Verlustleistung (max): | 1.8W (Ta) |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Andere Namen: | IRF7603TRPBFCT |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |