HGTP10N120BN
- Artikelnummer:
- HGTP10N120BN
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 41468 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.HGTP10N120BN.pdf2.HGTP10N120BN.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-HGTP10N120BN |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Testbedingung: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 23ns/165ns |
| Schaltenergie: | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 298W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | HGTP10N120BN-ND HGTP10N120BNFS |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | NPT |
| Gate-Ladung: | 100nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 80A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 35A |
| Email: | [email protected] |
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