FQB19N10LTM
- Artikelnummer:
- FQB19N10LTM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 76187 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FQB19N10LTM.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FQB19N10LTM |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.75W (Ta), 75W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 870pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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