Interne Teilenummer | RO-FJN4303RTA |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 22 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 22 kOhms |
Leistung - max: | 300mW |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andere Namen: | FJN4303RTACT |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 56 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Basisteilenummer: | FJN4303 |
Email: | [email protected] |