Interne Teilenummer | RO-FJN3303BU |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 400V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 500mA, 1.5A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1.1W |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 4MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 1.1W Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 14 @ 500mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1.5A |
Basisteilenummer: | FJN3303 |
Email: | [email protected] |