FGA50N100BNTD2
- Artikelnummer:
- FGA50N100BNTD2
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 59580 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FGA50N100BNTD2.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FGA50N100BNTD2 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1000V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.9V @ 15V, 60A |
| Testbedingung: | 600V, 60A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 34ns/243ns |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 75ns |
| Leistung - max: | 156W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | NPT and Trench |
| Gate-Ladung: | 257nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 200A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
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