FGA30N65SMD
FGA30N65SMD
Artikelnummer:
FGA30N65SMD
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
69205 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
FGA30N65SMD.pdf

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-FGA30N65SMD
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 30A
Testbedingung:400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:14ns/102ns
Schaltenergie:716µJ (on), 208µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-3P
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):35ns
Leistung - max:300W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Field Stop
Gate-Ladung:87nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Field Stop 650V 60A 300W Through Hole TO-3P
Strom - Collector Pulsed (Icm):90A
Strom - Kollektor (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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