FDY301NZ_G
- Artikelnummer:
- FDY301NZ_G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 36997 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDY301NZ_G.pdf
Einführung
We can supply FDY301NZ_G, use the request quote form to request FDY301NZ_G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDY301NZ_G.The price and lead time for FDY301NZ_G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDY301NZ_G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FDY301NZ_G |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-89-3 |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 625mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-89, SOT-490 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.1nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für FDY301NZ_G
läst Nachrichten
- Onsemi startete die weltweit erste Mautverpackung 650 V Silicon Carbide MOSFET
- Das Motor Development Kit von ON Semiconductor konzentriert sich zunächst auf die Energieeffizienz
- Die Lidar-Plattform des ON Semiconductor-Silizium-Photovervielfachers (SiPM) mit direkter Flugzeit (dToF) bietet vorgefertigte Designs für industrielle Anwendungen
- ON Semiconductor und Theta Power Systems International gehen eine Partnerschaft für Motorsteuerungsanwendungen ein
- ON Semiconductor ernennt Hassane El-Khoury zum Nachfolger des CEO (CEO)