FDD4N60NZ
- Artikelnummer:
- FDD4N60NZ
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 47542 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDD4N60NZ.pdf
Einführung
We can supply FDD4N60NZ, use the request quote form to request FDD4N60NZ pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDD4N60NZ.The price and lead time for FDD4N60NZ depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDD4N60NZ.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FDD4N60NZ |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
| Serie: | UniFET-II™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 114W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | FDD4N60NZ-ND FDD4N60NZTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.8nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 600V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für FDD4N60NZ
läst Nachrichten
- Onsemi startete die weltweit erste Mautverpackung 650 V Silicon Carbide MOSFET
- Das Motor Development Kit von ON Semiconductor konzentriert sich zunächst auf die Energieeffizienz
- Die Lidar-Plattform des ON Semiconductor-Silizium-Photovervielfachers (SiPM) mit direkter Flugzeit (dToF) bietet vorgefertigte Designs für industrielle Anwendungen
- ON Semiconductor und Theta Power Systems International gehen eine Partnerschaft für Motorsteuerungsanwendungen ein
- ON Semiconductor ernennt Hassane El-Khoury zum Nachfolger des CEO (CEO)