BD435S
- Artikelnummer:
- BD435S
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 32V 4A TO-126
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 51718 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- BD435S.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-BD435S |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 32V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 200mA, 2A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-126 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 36W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 3MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-126 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 40 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 4A |
| Basisteilenummer: | BD435 |
| Email: | [email protected] |
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