Interne Teilenummer | RO-BD159G |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 350V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | - |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-225AA |
Serie: | - |
Leistung - max: | 20W |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-225AA, TO-126-3 |
Andere Namen: | BD159G-ND BD159GOS |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 20W Through Hole TO-225AA |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 50mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
Basisteilenummer: | BD159 |
Email: | [email protected] |