Interne Teilenummer | RO-BC639-16ZL1G |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 80V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 625mW |
Verpackung: | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andere Namen: | BC639-16ZL1G-ND BC639-16ZL1GOSTB BC639-16ZL1GOSTR BC639-16ZL1GOSTR-ND BC63916ZL1G |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 150mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
Basisteilenummer: | BC639 |
Email: | [email protected] |