Interne Teilenummer | RO-BC212B |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 5mA, 100mA |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 350mW |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Andere Namen: | BC212B-ND BC212BOS |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | 280MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 280MHz 350mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 60 @ 2mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 15nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Basisteilenummer: | BC212 |
Email: | [email protected] |