2SD2206A(T6SEP,F,M
- Artikelnummer:
- 2SD2206A(T6SEP,F,M
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS NPN 2A 120V TO226-3
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 69863 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 2SD2206A(T6SEP,F,M.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-2SD2206A(T6SEP,F,M |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 120V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92MOD |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 900mW |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Andere Namen: | 2SD2206A(T6SEPFM 2SD2206AT6SEPFM |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 2A 900mW Through Hole TO-92MOD |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 2000 @ 1A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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