Interne Teilenummer | RO-2SB1123S-TD-E |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 700mV @ 50mA, 1A |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | PCP |
Serie: | - |
Leistung - max: | 500mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-243AA |
Andere Namen: | 2SB1123S-TD-E-ND 2SB1123S-TD-EOSTR |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 150MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 150MHz 500mW Surface Mount PCP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 100mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 2A |
Email: | [email protected] |