Interne Teilenummer | RO-2N6491G |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 80V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 3.5V @ 5A, 15A |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1.8W |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
Andere Namen: | 2N6491GOS |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 19 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 5MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 15A 5MHz 1.8W Through Hole TO-220AB |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 20 @ 5A, 4V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 15A |
Basisteilenummer: | 2N6491 |
Email: | [email protected] |