1N4446TR
- Artikelnummer:
- 1N4446TR
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 84491 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1N4446TR.pdf
Einführung
We can supply 1N4446TR, use the request quote form to request 1N4446TR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 1N4446TR.The price and lead time for 1N4446TR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 1N4446TR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-1N4446TR |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1V @ 20mA |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 100V |
| Supplier Device-Gehäuse: | DO-35 |
| Geschwindigkeit: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 4ns |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 175°C (Max) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Standard |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 25nA @ 20V |
| Strom - Richt (Io): | 200mA |
| Kapazität @ Vr, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Basisteilenummer: | 1N4446 |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für 1N4446TR
läst Nachrichten
- Onsemi startete die weltweit erste Mautverpackung 650 V Silicon Carbide MOSFET
- Das Motor Development Kit von ON Semiconductor konzentriert sich zunächst auf die Energieeffizienz
- Die Lidar-Plattform des ON Semiconductor-Silizium-Photovervielfachers (SiPM) mit direkter Flugzeit (dToF) bietet vorgefertigte Designs für industrielle Anwendungen
- ON Semiconductor und Theta Power Systems International gehen eine Partnerschaft für Motorsteuerungsanwendungen ein
- ON Semiconductor ernennt Hassane El-Khoury zum Nachfolger des CEO (CEO)