SI4435FDY-T1-GE3
- Part Number:
- SI4435FDY-T1-GE3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
- Stav RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství na skladě:
- 30359 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Doba výroby:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI4435FDY-T1-GE3.pdf
Úvod
We can supply SI4435FDY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4435FDY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4435FDY-T1-GE3.The price and lead time for SI4435FDY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4435FDY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikace
| Číslo interní součásti | RO-SI4435FDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Stav | Original New |
| Země původu | Contact us |
| Nejlepší značení | email us |
| Výměna, nahrazení | See datasheet |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SOIC |
| Série: | TrenchFET® Gen III |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 19 mOhm @ 9A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 4.8W (Tc) |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | SI4435FDY-T1-GE3CT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | P-Channel 30V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 12.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI4435FDY-T1-GE3
Latest News
- ADI spolupracuje s BMW Group, aby zahájila přední technologii 10 MB Car Ethernet v oboru a otevírá novou kapitolu v automobilech s definicí softwaru
- Vishay uvádí na trh knoflíkový potenciometr a zjednodušuje návrh průmyslových a zvukových aplikací a optimalizuje náklady
- Společnost Toshiba uvádí na trh ovladač brány Smartmcd Series IC s vestavěným mikrokontrolérem
- Adi Deployment Sambanova Kit, propagace produkční vzorec AI k dosažení průlomu na podnikové úrovni
- Honeywell a Adi se připojili k ruce, aby podpořili inovace a změnu automatizace budov
- Maxim oznámil spuštění
- Maxim uvádí na trh auto DC-DC MAX16984, auto s integrovanými výčty USB nabíjení
- Electronics Renesas Electronics uvádí na trh první programovatelný elektrický ovladač v oboru
- Renesas spustila první generaci 32bitového jádra CPU RISC-V
- Vishay spustil novou spojku s nízkým výkonem 10 MBD, až 5 mA, rozsah napětí je 2,7 V až 5,5 V
- Melexis spustila nové inteligentní diváky pro integraci spolehlivého zabezpečení
- Společnost Toshiba vyvinula první 2200V modul MOSFET v oboru, aby pomohl efektivní a miniaturizaci průmyslového vybavení