Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6008FNJTL
R6008FNJTL
R6008FNJTL
Part Number:
R6008FNJTL
Výrobce:
LAPIS Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
84503 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
1.R6008FNJTL.pdf2.R6008FNJTL.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply R6008FNJTL, use the request quote form to request R6008FNJTL pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6008FNJTL.The price and lead time for R6008FNJTL depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6008FNJTL.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-R6008FNJTL
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:LPTS
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 4A, 10V
Ztráta energie (Max):50W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:R6008FNJTLTR
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:580pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Detailní popis:N-Channel 600V 8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro R6008FNJTL

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
R6007KNJTL Image R6007KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 Dotaz
R60060-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Dotaz
R6008FNX Image R6008FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM Dotaz
R6009KNX Image R6009KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Dotaz
R60060-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Dotaz
R60100-1STR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS Dotaz
R60100-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS Dotaz
R60100-1STRM Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS Dotaz
R60060-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Dotaz
R6007ENX Image R6007ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220 Dotaz
R60100-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS Dotaz
R6009ENJTL Image R6009ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A LPT Dotaz
R6009KNJTL Image R6009KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263 Dotaz
R6007ENJTL Image R6007ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPT Dotaz
R60100-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS Dotaz
R6007KNX Image R6007KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM Dotaz
R6006ANX Image R6006ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM Dotaz
R6009ENX Image R6009ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Dotaz
R6008ANX Image R6008ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM Dotaz
R6006ANDTL Image R6006ANDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A CPT Dotaz

Latest News