Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6002END3TL1
R6002END3TL1
R6002END3TL1
Part Number:
R6002END3TL1
Výrobce:
LAPIS Semiconductor
Popis:
NCH 600V 2A POWER MOSFET
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
44410 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
R6002END3TL1.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply R6002END3TL1, use the request quote form to request R6002END3TL1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6002END3TL1.The price and lead time for R6002END3TL1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6002END3TL1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-R6002END3TL1
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-252
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Ztráta energie (Max):26W (Tc)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:R6002END3TL1DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:65pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Detailní popis:N-Channel 600V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount TO-252
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro R6002END3TL1

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
R60030-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R60030-1PR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R60030-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R6002030XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 Dotaz
R60030-2PR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R60030-1SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R60030-2SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R60030-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R6002025XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 Dotaz
R6002425XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 Dotaz
R6001825XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 Dotaz
R60030-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R6001630XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 Dotaz
R6001625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 Dotaz
R6001430XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 Dotaz
R6002225XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 Dotaz
R60030-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Dotaz
R6001830XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 Dotaz
R6002625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 Dotaz
R6002ENDTL Image R6002ENDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 Dotaz

Latest News