Číslo interní součásti | RO-IRF6645TR1PBF |
---|---|
Stav | Original New |
Země původu | Contact us |
Nejlepší značení | email us |
Výměna, nahrazení | See datasheet |
Vgs (th) (max) 'Id: | 4.9V @ 50µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | DIRECTFET™ SJ |
Série: | HEXFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | DirectFET™ Isometric SJ |
Ostatní jména: | IRF6645TR1PBFTR SP001574778 |
Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 100V |
Detailní popis: | N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |