EMD29T2R
- Part Number:
- EMD29T2R
- Výrobce:
- LAPIS Semiconductor
- Popis:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
- Stav RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství na skladě:
- 82008 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Doba výroby:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.EMD29T2R.pdf2.EMD29T2R.pdf
Úvod
We can supply EMD29T2R, use the request quote form to request EMD29T2R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EMD29T2R.The price and lead time for EMD29T2R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EMD29T2R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikace
| Číslo interní součásti | RO-EMD29T2R |
|---|---|
| Stav | Original New |
| Země původu | Contact us |
| Nejlepší značení | email us |
| Výměna, nahrazení | See datasheet |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V, 12V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor Type: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | EMT6 |
| Série: | - |
| Resistor - emitorová základna (R2): | 10 kOhms |
| Rezistor - základna (R1): | 1 kOhms, 10 kOhms |
| Power - Max: | 120mW |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatní jména: | EMD29T2RDKR |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 250MHz, 260MHz |
| Detailní popis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 100mA, 500mA |
| Číslo základní části: | *MD29 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro EMD29T2R
Latest News
- Princip pracovního kondenzátoru
- Renesas je první, kdo spustil univerzální 32bitový RISC-V MCU s samostatným jádrem CPU
- Na Anmeiho nízkopodnikovou obrazovou senzor čelí modernímu vizuálnímu systému
- ADI spolupracuje s BMW Group, aby zahájila přední technologii 10 MB Car Ethernet v oboru a otevírá novou kapitolu v automobilech s definicí softwaru
- Vishay uvádí na trh knoflíkový potenciometr a zjednodušuje návrh průmyslových a zvukových aplikací a optimalizuje náklady
- Společnost Toshiba uvádí na trh ovladač brány Smartmcd Series IC s vestavěným mikrokontrolérem
- Adi Deployment Sambanova Kit, propagace produkční vzorec AI k dosažení průlomu na podnikové úrovni
- Honeywell a Adi se připojili k ruce, aby podpořili inovace a změnu automatizace budov
- Maxim oznámil spuštění
- Maxim uvádí na trh auto DC-DC MAX16984, auto s integrovanými výčty USB nabíjení
- Electronics Renesas Electronics uvádí na trh první programovatelný elektrický ovladač v oboru
- Renesas spustila první generaci 32bitového jádra CPU RISC-V