TRS8E65C,S1Q
- Номер на частта:
- TRS8E65C,S1Q
- Производител:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- описание:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 46602 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- TRS8E65C,S1Q.pdf
Въведение
We can supply TRS8E65C,S1Q, use the request quote form to request TRS8E65C,S1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TRS8E65C,S1Q.The price and lead time for TRS8E65C,S1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TRS8E65C,S1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-TRS8E65C,S1Q |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: | 1.7V @ 8A |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.): | 650V |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-220-2L |
| скорост: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| серия: | - |
| Време за обратно възстановяване (trr): | 0ns |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-220-2 |
| Други имена: | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
| Работна температура - връзка: | 175°C (Max) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 12 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип диод: | Silicon Carbide Schottky |
| Подробно описание: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr: | 90µA @ 650V |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io): | 8A (DC) |
| Капацитет @ Vr, F: | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за TRS8E65C,S1Q
Latest News
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Toshiba пусна първия 200V транзистор изходен автомобил оптрона
- TOSHIBA пуска висок коефициент на отхвърляне на пулсации и LDO регулатор с нисък шум с по-висока стабилност на електропровода
- TOSHIBA представя тънки и леки оптрони за IGBT и MOSFET задвижване, високотемпературна работа, задни или ограничени позиции: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA пуска дискретни IGBT, които помагат за намаляване на консумацията на енергия и излъчването на домакински уреди: GT30J110SRA
- Toshiba пуска 5A 2-канален интегрален модул за мотор с H-мост за автомобилни приложения
- Toshiba пуска 5 нови усъвършенствани микроконтролери от семейството TXZ + ™, за да постигне ниска консумация на енергия, поддържа миниатюризация на системата и управление на двигателя