TK3A60DA(STA4,Q,M)
- Номер на частта:
- TK3A60DA(STA4,Q,M)
- Производител:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- описание:
- MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 67683 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- 1.TK3A60DA(STA4,Q,M).pdf2.TK3A60DA(STA4,Q,M).pdf
Въведение
We can supply TK3A60DA(STA4,Q,M), use the request quote form to request TK3A60DA(STA4,Q,M) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TK3A60DA(STA4,Q,M).The price and lead time for TK3A60DA(STA4,Q,M) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TK3A60DA(STA4,Q,M).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-TK3A60DA(STA4,Q,M) |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.4V @ 1mA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-220SIS |
| серия: | π-MOSVII |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 30W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-220-3 Full Pack |
| Други имена: | TK3A60DA(STA4QM) TK3A60DASTA4QM |
| Работна температура: | 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 9nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 600V |
| Подробно описание: | N-Channel 600V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за TK3A60DA(STA4,Q,M)
Latest News
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Toshiba пусна първия 200V транзистор изходен автомобил оптрона
- TOSHIBA пуска висок коефициент на отхвърляне на пулсации и LDO регулатор с нисък шум с по-висока стабилност на електропровода
- TOSHIBA представя тънки и леки оптрони за IGBT и MOSFET задвижване, високотемпературна работа, задни или ограничени позиции: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA пуска дискретни IGBT, които помагат за намаляване на консумацията на енергия и излъчването на домакински уреди: GT30J110SRA
- Toshiba пуска 5A 2-канален интегрален модул за мотор с H-мост за автомобилни приложения
- Toshiba пуска 5 нови усъвършенствани микроконтролери от семейството TXZ + ™, за да постигне ниска консумация на енергия, поддържа миниатюризация на системата и управление на двигателя