Вътрешен номер на част | RO-SQJ940EP-T1_GE3 |
---|---|
състояние | Original New |
Произход на страната | Contact us |
Най-висока маркировка | email us |
Замяна | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
Пакет на доставчик на устройства: | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
серия: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 15A, 10V |
Мощност - макс: | 48W, 43W |
Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
Пакет / касета: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Други имена: | SQJ940EP-T1-GE3 SQJ940EP-T1-GE3-ND SQJ940EP-T1_GE3-ND SQJ940EP-T1_GE3TR |
Работна температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтаж: | Surface Mount |
Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 896pF @ 20V |
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 20nC @ 20V |
Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature: | Logic Level Gate |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 40V |
Подробно описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 15A (Ta), 18A (Tc) |
Email: | [email protected] |