Вътрешен номер на част | RO-SPB18P06P |
---|---|
състояние | Original New |
Произход на страната | Contact us |
Най-висока маркировка | email us |
Замяна | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
Vgs (макс): | ±20V |
технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
Пакет на доставчик на устройства: | D²PAK (TO-263AB) |
серия: | SIPMOS® |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
Разсейване на мощност (макс.): | 81.1W (Ta) |
Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
Пакет / касета: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Други имена: | SP000012329 SPB18P06PT |
Работна температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтаж: | Surface Mount |
Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 860pF @ 25V |
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
Тип FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 60V |
Подробно описание: | P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 18.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |