Вътрешен номер на част | RO-SI8499DB-T2-E1 |
---|---|
състояние | Original New |
Произход на страната | Contact us |
Най-висока маркировка | email us |
Замяна | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
Vgs (макс): | ±12V |
технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
Пакет на доставчик на устройства: | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
серия: | TrenchFET® |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 32 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Разсейване на мощност (макс.): | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
Пакет / касета: | 6-MICRO FOOT™ |
Други имена: | SI8499DB-T2-E1TR SI8499DBT2E1 |
Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтаж: | Surface Mount |
Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1300pF @ 10V |
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 30nC @ 5V |
Тип FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 20V |
Подробно описание: | P-Channel 20V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |