SI4778DY-T1-GE3
- Номер на частта:
- SI4778DY-T1-GE3
- Производител:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- описание:
- MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 69685 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- SI4778DY-T1-GE3.pdf
Въведение
We can supply SI4778DY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4778DY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4778DY-T1-GE3.The price and lead time for SI4778DY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4778DY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-SI4778DY-T1-GE3 |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±16V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | 8-SO |
| серия: | TrenchFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Други имена: | SI4778DY-T1-GE3TR SI4778DYT1GE3 |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 680pF @ 13V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 25V |
| Подробно описание: | N-Channel 25V 8A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за SI4778DY-T1-GE3
Latest News
- ADI си сътрудничи с BMW Group за стартиране на водещата 10MB автомобилна технология от 10MB, отваряйки нова глава в автомобилите за дефиниция на софтуера
- Vishay стартира потенциометъра на копчето, опростявайки дизайна на индустриални и аудио приложения и оптимизиране на разходите
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване