RN2108MFV,L3F
- Номер на частта:
- RN2108MFV,L3F
- Производител:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- описание:
- X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 42599 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- RN2108MFV,L3F.pdf
Въведение
We can supply RN2108MFV,L3F, use the request quote form to request RN2108MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN2108MFV,L3F.The price and lead time for RN2108MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN2108MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-RN2108MFV,L3F |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - Разпределение на излъчвателя на колектора (макс.): | 50V |
| Vce насищане (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Транзисторен тип: | PNP - Pre-Biased |
| Пакет на доставчик на устройства: | VESM |
| серия: | - |
| Резистор - емитерна основа (R2): | 47 kOhms |
| Резистор - основа (R1): | 22 kOhms |
| Мощност - макс: | 150mW |
| Пакет / касета: | SOT-723 |
| Други имена: | RN2108MFVL3F |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Производител Стандартно време за доставка: | 16 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробно описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| DC ток на печалба (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Ток - изключване на колектора (макс.): | 500nA |
| Ток - колектор (Ic) (макс.): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за RN2108MFV,L3F
Latest News
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Toshiba пусна първия 200V транзистор изходен автомобил оптрона
- TOSHIBA пуска висок коефициент на отхвърляне на пулсации и LDO регулатор с нисък шум с по-висока стабилност на електропровода
- TOSHIBA представя тънки и леки оптрони за IGBT и MOSFET задвижване, високотемпературна работа, задни или ограничени позиции: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA пуска дискретни IGBT, които помагат за намаляване на консумацията на енергия и излъчването на домакински уреди: GT30J110SRA
- Toshiba пуска 5A 2-канален интегрален модул за мотор с H-мост за автомобилни приложения
- Toshiba пуска 5 нови усъвършенствани микроконтролери от семейството TXZ + ™, за да постигне ниска консумация на енергия, поддържа миниатюризация на системата и управление на двигателя