Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Защита на електрическата верига > TVS - Диоди > JAN1N5612
JAN1N5612
Номер на частта:
JAN1N5612
Производител:
Microsemi
описание:
TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL
Статус на RoHS:
Съдържа олово / RoHS несъответстващо
Количество на склад:
61388 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
JAN1N5612.pdf
Разследване

Въведение

We can supply JAN1N5612, use the request quote form to request JAN1N5612 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N5612.The price and lead time for JAN1N5612 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N5612.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-JAN1N5612
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Напрежение - обратно задържане (Тип):49V
Напрежение - захващане (макс.) @ Ipp:78.5V
Напрежение - разбивка (Мин.):54V
Еднопосочни канали:1
Тип:Zener
Пакет на доставчик на устройства:G, Axial
серия:Military, MIL-PRF-19500/434
Защита на линията за захранване:No
Мощност - върхов импулс:1500W (1.5kW)
Опаковка:Bulk
Пакет / касета:G, Axial
Други имена:1086-15770
1086-15770-MIL
Работна температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Ток - максимален импулс (10 / 1000μs):19A
Капацитет @ Честота:-
Приложения:General Purpose
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за JAN1N5612

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
JAN1N5556 Microsemi TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13 Разследване
JAN1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Разследване
JAN1N5553US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF Разследване
JAN1N5615US Image JAN1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Разследване
JAN1N5554 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Разследване
JAN1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Разследване
JAN1N5618 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Разследване
JAN1N5614 Image JAN1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Разследване
JAN1N5555 Microsemi TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13 Разследване
JAN1N5618US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Разследване
JAN1N5616 Image JAN1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Разследване
JAN1N5558 Microsemi TVS DIODE 175V 265V DO13 Разследване
JAN1N5554US Image JAN1N5554US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B Разследване
JAN1N5552US Image JAN1N5552US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF Разследване
JAN1N5610 Microsemi TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL Разследване
JAN1N5553 Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL Разследване
JAN1N5614US Image JAN1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A Разследване
JAN1N5617 Image JAN1N5617 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Разследване
JAN1N5615 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Разследване
JAN1N5611 Image JAN1N5611 Microsemi TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL Разследване

Latest News